BSC082N10LSG

BSC082N10LS G
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BSC082N10LS G参数：MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：5,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：104nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7400pF @ 50V
功率 - 最大值：156W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8